SiC晶種籽晶碳化硅長晶晶片襯底半導體專用籽晶
概述:碳化硅籽晶晶種
產品介紹:
       SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的首選半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難,其中第一要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。
       合能陽光提供的SiC晶種,可充分滿足不同需求的客戶,優質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。
標準技術參數:
型號:4H-N/Si  6H-N/Si
等級:工業級   研究級
 直徑:2寸  4寸 
6寸
 厚度:330 μm±25μm   500μm±25μm  
 晶片方向:Off axis : 4.0° toward<1120> ±0.5° for 4H-N  On axis : <0001>±0.5° for 4H-Si
微管密度: ≤ 5 cm -2
電阻率范圍:0.0015-0.1Ω·cm
主定位邊方向:{10-10}±5.0°
次定位邊方向:Silicon
face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°
邊緣去除:2mm
局部厚度變化/彎曲度/翹曲度:≤ 4μm/ ≤ 10μm / ≤ 25μm / ≤ 35μm
表面粗糙度 :拋光Ra ≤ 1 nm  清洗 Ra ≤ 0.5 nm
裂紋(強光觀測):無       
六方空洞(強光燈觀測):面積 ≤ 0.05%
多型(強光燈觀測):無
目測包裹物(日光燈觀測):面積 ≤ 0.05%
劃痕(強光燈觀測): 無
崩邊:無
表面污染物(強光燈觀測):無
包裝:真空盒裝                  
 
典型客戶:
美國,歐洲,亞洲及國內SiC晶體生產和襯底企業。
[本信息來自于今日推薦網]
       SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的首選半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難,其中第一要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。
       合能陽光提供的SiC晶種,可充分滿足不同需求的客戶,優質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。
標準技術參數:
型號:4H-N/Si  6H-N/Si
等級:工業級   研究級
 直徑:2寸  4寸 
6寸
 厚度:330 μm±25μm   500μm±25μm  
 晶片方向:Off axis : 4.0° toward<1120> ±0.5° for 4H-N  On axis : <0001>±0.5° for 4H-Si
微管密度: ≤ 5 cm -2
電阻率范圍:0.0015-0.1Ω·cm
主定位邊方向:{10-10}±5.0°
次定位邊方向:Silicon
face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°
邊緣去除:2mm
局部厚度變化/彎曲度/翹曲度:≤ 4μm/ ≤ 10μm / ≤ 25μm / ≤ 35μm
表面粗糙度 :拋光Ra ≤ 1 nm  清洗 Ra ≤ 0.5 nm
裂紋(強光觀測):無       
六方空洞(強光燈觀測):面積 ≤ 0.05%
多型(強光燈觀測):無
目測包裹物(日光燈觀測):面積 ≤ 0.05%
劃痕(強光燈觀測): 無
崩邊:無
表面污染物(強光燈觀測):無
包裝:真空盒裝                  
 
典型客戶:
美國,歐洲,亞洲及國內SiC晶體生產和襯底企業。



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